Samsung startet Massenfertigung von 3D-V-NAND mit TLC-Technik

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Vor zwei Jahren hat Samsung bei der 840 Series erstmals auf Triple-Level-Cell-Flash (TLC) gesetzt, welcher 3 Bits pro Speicherzelle speichern kann. Auch der Nachfolger in Form der 840 EVO ist mit TLC-NAND ausgestattet. 3D-V-NAND kam erstmals bei der 850 Pro und der NVMe-SSD SM1715 zum Einsatz. Im Gegensatz zu normalen Flash-Chips werden hier mehrere Schichten aus Speicherzellen übereinandergestapelt. Nun hat der Hersteller erstmals beide Technologien verknüpft und die Massenproduktion von 3D-V-NAND mit TLC-Technik verkündet. Damit hat Samsung seine herausragende Stellung bei der Fertigung von NAND-Speicher erneut verdeutlicht. Die Konkurrenz wird voraussichtlich erst ab 2015 mit der 3D-NAND-Massenfertigung starten.

Die 128 Gigabit (16 Gigabyte) großen Flash-Speicherchips stammen aus der zweiten V-NAND-Generation und arbeiten mit 32 Schichten. Die erste Generation bestand noch aus 24 Schichten. Hauptvorteil der neuen 3D-V-NAND-TLC-Chips ist eine günstigere Produktion. Laut Samsung soll die Wafer-Produktion mehr als verdoppelt werden, d.h. im Vergleich zu herkömmlichem TLC-Speicher sollen mehr als doppelt so viele Chips pro Wafer produziert werden können. Gleichzeitig sollen die neuen Chips eine bessere Haltbarkeit gegenüber planaren TLC-Chips aufweisen.

Aller Voraussicht nach wird der neue 3-Bit-V-NAND erstmals bei der 850 EVO eingesetzt werden, welche noch in diesem Jahr erwartet wird. Die 850 Pro kam rund zwei Monate nach dem Start der Massenproduktion auf den Markt. Demnach wäre eine Vorstellung der 850 EVO im Dezember 2014 möglich. Ob sich die geringeren Produktionskosten auch in fallenden SSD-Preisen niederschlagen wird sich zeigen.

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